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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LXHQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R80ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€61W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@50V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK55S10N1，LQ
工作温度：175℃
功率：157W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@10V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
