采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76633P3-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：145W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1820pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@39A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
功率：3W€6W
栅极电荷：67nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
功率：3W€6W
栅极电荷：67nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3R70APL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
