品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":10268,"17+":275,"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N10S3L16AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5444}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ151P10TL
工作温度:150℃
功率:1.35W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ151P10TL
工作温度:150℃
功率:1.35W€50W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5444}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":642}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD050N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:3.8V@84µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: