品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14.1nF@25V
连续漏极电流:93A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM100P10-19L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@25V
连续漏极电流:93A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTY100N10G
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10110pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: