销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2V
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10LA
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":10268,"17+":275,"22+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N10S3L16AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":13937}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4190pF@50V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@54A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":900,"12+":4200,"13+":9224,"9999":1476}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10LA
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:52nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":260,"22+":5,"23+":3500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP16CN10NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@50V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@53A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6414ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: