采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
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功率：5W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
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功率：5W
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输入电容：208pF@50V
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类型：1个N沟道
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
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功率：5W
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输入电容：208pF@50V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1605}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
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输入电容：208pF@50V
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导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：4nC@10V
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输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
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输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
连续漏极电流：3.4A
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
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类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
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输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1605}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86106
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：208pF@50V
连续漏极电流：3.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：5W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.4A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：4nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：208pF@50V
类型：1个N沟道
功率：5W
导通电阻：105mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
功率：5W
导通电阻：10.5mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
