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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.75W€250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：6.55nF@25V
连续漏极电流：85A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@10V，30A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.6nF@50V
连续漏极电流：37.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：43mΩ@9.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：1.48nF@50V
连续漏极电流：13.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：134mΩ@10V，4A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.6nF@50V
连续漏极电流：28A
类型：1个P沟道
导通电阻：41mΩ@10V，7.8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90P10-19L-E3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：326nC@10V
连续漏极电流：90A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：11.1nF@50V
导通电阻：19mΩ@10V，20A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W€375W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：13.2A
功率：3.7W€52W
工作温度：-50℃~+150℃
导通电阻：134mΩ@10V，4A
类型：1个P沟道
输入电容：1.48nF@50V
漏源电压：100V
栅极电荷：55nC@10V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS892ADN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
连续漏极电流：28A
输入电容：550pF@50V
栅极电荷：19.5nC@10V
导通电阻：33mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.7W€52W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：10.5mΩ@10V，30A
功率：3.75W€250W
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：6.55nF@25V
连续漏极电流：85A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
漏源电压：100V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：13.2A
功率：3.7W€52W
工作温度：-50℃~+150℃
导通电阻：134mΩ@10V，4A
类型：1个P沟道
输入电容：1.48nF@50V
漏源电压：100V
栅极电荷：55nC@10V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
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