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    漏源电压: 100V
    阈值电压: 2V@250μA
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 汽车
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    当前匹配商品:20+
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    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT045N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:101.6nC@10V

    输入电容:6.124nF@50V

    连续漏极电流:139A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@50V

    导通电阻:4.1mΩ@10V,20A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:92
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:62
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订60个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订60个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:60
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:95
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:61
    谷峰 Mosfet场效应管 G03N10
    谷峰 Mosfet场效应管 G03N10

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G03N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:15.5nC@10V

    输入电容:690pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:90pF@25V

    导通电阻:140mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:54
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
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