品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6413ANT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@42A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150ET100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4065pF@50V
连续漏极电流:16A€128A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86152
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3370pF@50V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€113W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4665pF@50V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.85mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":388}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86140
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2580pF@50V
连续漏极电流:11.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT800100DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7835pF@50V
连续漏极电流:24A€162A
类型:N沟道
导通电阻:2.95mΩ@24A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86105
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:645pF@50V
连续漏极电流:6A€26A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC3612
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3632
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:12A€80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8545pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3672-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@25V
连续漏极电流:7.2A€44A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0240N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86163P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4085pF@50V
连续漏极电流:7.9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@7.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@50V
连续漏极电流:3.3A€16A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: