品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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输入电容:1900pF@50V
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类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
类型:N沟道
阈值电压:4V@300µA
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
功率:1.6W€48W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
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输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1400ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€48W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@50V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:72W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK22A10N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:13.8mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: