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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H009SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@50V
连续漏极电流：14A€86A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN040-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：36.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN040-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：36.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN040-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：36.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75，"23+"：46500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN027-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：103W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1624pF@50V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：26.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2137
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ474EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN040-100MSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：36.6mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
