品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3330,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4320pF@50V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD12CN10NGATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:67A
导通电阻:12.4mΩ@67A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
输入电容:4320pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: