采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：18N10
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.318nF@50V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK22E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：72W
阈值电压：4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK33S10N1Z，LXHQ
工作温度：175℃
功率：125W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2050pF@10V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@16.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：5.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3682
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：6A€32A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：15698}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
