品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5010TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@25V
连续漏极电流:13A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5010TRPBF
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栅极电荷:98nC@10V
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输入电容:4340pF@25V
连续漏极电流:13A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
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输入电容:6250pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1622}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5010TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€250W
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栅极电荷:98nC@10V
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输入电容:4340pF@25V
连续漏极电流:13A€100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
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库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
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连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
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栅极电荷:98nC@10V
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导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
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功率:300W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
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连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
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栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N10S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.1V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
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输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: