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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2574，"22+"：3377}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：7.7A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0803LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：9A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2574，"22+"：3377}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：7.7A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0803LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：9A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0803LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€52W
阈值电压：2.3V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@50V
连续漏极电流：9A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0803NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2.3V@18µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@50V
连续漏极电流：8.8A€37A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LQ
工作温度：175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
输入电容：850pF@10V
工作温度：175℃
功率：65W
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11S10N1L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
输入电容：850pF@10V
工作温度：175℃
功率：65W
栅极电荷：15nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
