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    漏源电压: 100V
    栅极电荷: 53nC@10V
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    当前匹配商品:40+
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    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订201个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订201个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":667}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7619-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订169个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订169个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    类型:N沟道

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    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:3900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7619-100B,118

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    功率:200W

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1 起订487个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1 起订487个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":19600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5L054ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

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    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:3744pF@50V

    连续漏极电流:101A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订93个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订93个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L054ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":19600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5L054ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3744pF@50V

    连续漏极电流:101A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK7619-100B,118 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":667}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7619-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC105N10LSFGATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:2.4V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@50V

    连续漏极电流:11.4A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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