采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10P10F6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@80V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
功率：2.15W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP10A16KTC
导通电阻：235mΩ@2.1A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：717pF@50V
连续漏极电流：3A
功率：2.15W
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
