采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50N10AL_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@30V
连续漏极电流：6.3A€42A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：5.9A€8.3A
类型：N沟道
导通电阻：29.2mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
