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    漏源电压: 100V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    连续漏极电流: 60A
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN3R2-100CBEAZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN3R2-100CBEAZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN3R2-100CBEAZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:394W

    阈值电压:2.5V@9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD70N10F4 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD70N10F4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2088 起订1000个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2088 起订1000个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2088

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2703pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,5V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2840pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S4L12ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":805}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S4L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.1V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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