采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD33CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@50V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：11A€58A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2759，"23+"：5719，"24+"：1322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD33CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@50V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ080N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：13A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8.04mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC080N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@36µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：13A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8.05mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：11A€58A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC080N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@36µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：13A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8.05mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC080N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€100W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@50V
连续漏极电流：13A€75A
类型：N沟道
导通电阻：8.05mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD33CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@50V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@27A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS40DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@50V
连续漏极电流：36.5A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
