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    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:3.8V@115µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5B 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB042N10N3GATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB042N10N3GATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8410pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:3.8V@115µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC035N10NS5ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€156W

    阈值电压:3.8V@115µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6500pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L040ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5L040ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2V@90µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB042N10N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB042N10N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.5V@150µA

    栅极电荷:117nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8410pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4810pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB100N10S305ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@240µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:176nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11570pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC040N10NS5ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:3.8V@95µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N10S5N040ATMA1 起订500个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}

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    规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:3.8V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

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