品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1200}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GT52N10T
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2626pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H010LCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€139W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
功率:3.75W€250W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
栅极电荷:160nC@10V
连续漏极电流:85A
输入电容:6550pF@25V
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP85N10-10-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6550pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: