采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDH3632
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6nF@25V
连续漏极电流：12A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75652G3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：515W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：475nC@20V
包装方式：管件
输入电容：7.585nF@25V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP036N10A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：116nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7.295nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.6mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9530PBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：88W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@7.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
