采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：495}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1000，"22+"：10900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100PS，127
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R8-100PSEQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：294W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7110pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X
输入电容：8800pF@50V
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：100A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
功率：255W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：495}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：495}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：495}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100ES，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100PSQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100A10N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
