包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH320N10T2

工作温度：-55℃~175℃

功率：1000W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：430nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：26000pF@25V

连续漏极电流：320A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTK210P10T

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.04kW

阈值电压：4.5V

栅极电荷：740nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：210A

类型：MOSFET

导通电阻：7.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH140P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：568W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：31400pF@25V

连续漏极电流：140A

类型：P沟道

导通电阻：12mΩ@70A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH140P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：568W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：31400pF@25V

连续漏极电流：140A

类型：P沟道

导通电阻：12mΩ@70A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：70psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTY26P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：150W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：3820pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：P沟道

导通电阻：90mΩ@13A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFA130N10T2

工作温度：-55℃~175℃

功率：360W

阈值电压：4.5V@1mA

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：6600pF@25V

连续漏极电流：130A

类型：N沟道

导通电阻：9.1mΩ@65A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA030N10NF2SXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：154nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：83A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH140P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：568W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：31400pF@25V

连续漏极电流：140A

类型：P沟道

导通电阻：12mΩ@70A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH140P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：568W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：31400pF@25V

连续漏极电流：140A

类型：P沟道

导通电阻：12mΩ@70A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：70psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTY26P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：150W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：52nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：3820pF@25V

连续漏极电流：26A

类型：P沟道

导通电阻：90mΩ@13A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFH320N10T2

工作温度：-55℃~175℃

功率：1000W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：430nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：26000pF@25V

连续漏极电流：320A

类型：N沟道

导通电阻：3.5mΩ@100A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXTH140P10T

工作温度：-55℃~150℃

功率：568W

阈值电压：4V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：31400pF@25V

连续漏极电流：140A

类型：P沟道

导通电阻：12mΩ@70A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXFA130N10T2

工作温度：-55℃~175℃

功率：360W

阈值电压：4.5V@1mA

栅极电荷：130nC@10V

包装方式：Tube

输入电容：6600pF@25V

连续漏极电流：130A

类型：N沟道

导通电阻：9.1mΩ@65A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP180N10N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：43A

类型：MOSFET

导通电阻：15.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2870}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA030N10NF2SXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：154nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：83A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2200，"9999"：950}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA030N10NF2SXKSA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：41W

阈值电压：3V

栅极电荷：154nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：83A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1