销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:3.8V@115µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:3.8V@115µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC035N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:3.8V@115µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5L040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:2V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4810pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB100N10S305ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@240µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:176nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11570pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC040N10NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1904,"23+":6355}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: