采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1193}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPI21N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：4V@44µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：865pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K45-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2152pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP9140PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.1W€29.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
