品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70042E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:带
输入电容:6490pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70042E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:带
输入电容:6490pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":708,"23+":19543,"MI+":2610}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.18mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":708,"23+":19543,"MI+":2610}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.2V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70030E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:214nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10870pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:2.88mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT150N10S5N035ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:3.8V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6110pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: