采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6600N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€56.6W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：146mΩ@6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI530NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@6.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
