采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
输入电容：520pF@25V
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
