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    漏源电压: 100V
    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 4V@250μA
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:50+
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    MOT Mosfet场效应管 MOT1111T
    MOT Mosfet场效应管 MOT1111T

    品牌:MOT

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MOT1111T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:500W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:284nC@10V

    输入电容:13.574nF@50V

    连续漏极电流:450A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:100pF@50V

    导通电阻:1mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70042E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:6.49nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70042E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:6.49nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70042E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:6.49nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70042E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:6.49nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:900
    加购:450
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:510
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:90
    加购:30
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:150
    加购:30
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP045N10A-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP045N10A-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.27nF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10V,100A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    加购:30
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H2M5STLW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H2M5STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5.8W€230.8W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8.45nF@50V

    连续漏极电流:215A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70042E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70042E-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    输入电容:6.49nF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H015SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H015SK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:30.1nC@10V

    输入电容:2.343nF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75652G3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75652G3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:515W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:475nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:7.585nF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH10H1M7STLW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:6W€250W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:147nC@10V

    输入电容:9.871nF@50V

    连续漏极电流:250A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632
    onsemi Mosfet场效应管 FDH3632

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDH3632

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6nF@25V

    连续漏极电流:12A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@80A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:450
    加购:450
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