品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:190nC@10V
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:9.62nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10V,75A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@10V,9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:115mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@10V,9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:92W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@10V,9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@10V,9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:115mΩ@10V,10A
连续漏极电流:16A
漏源电压:100V
功率:79W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3nF@25V
连续漏极电流:57A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:190nC@10V
导通电阻:25mΩ@10V,28A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:36A
类型:1个N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10V,22A
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:63nC@10V
功率:92W
输入电容:1.77nF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:640pF@25V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:115mΩ@10V,10A
连续漏极电流:16A
漏源电压:100V
功率:79W
包装清单:商品主体 * 1
库存: