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    漏源电压: 100V
    类型: 1个N沟道
    工作温度: -55℃~+150℃
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:400+
    商品信息
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    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT10N10 起订17个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT10N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:17W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:4.3nC@10V

    输入电容:206pF@50V

    连续漏极电流:7A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:1.4pF@50V

    导通电阻:115mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT045N10M 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT045N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:101.6nC@10V

    输入电容:6.124nF@50V

    连续漏极电流:139A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@50V

    导通电阻:4.1mΩ@10V,20A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10T 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10T 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT105N10T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.7V

    栅极电荷:54nC@10V

    输入电容:1.625nF@50V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:14pF@50V

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10D5 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10D5

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT105N10K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    输入电容:1.574nF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L 起订92个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1002L 起订92个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1002L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    输入电容:413pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT095N10S 起订14个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT095N10S 起订14个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT095N10S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:8W

    阈值电压:2.6V@250μA

    栅极电荷:29.4nC@10V

    输入电容:2.131nF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订50个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCP75N10Y-BP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCP75N10Y-BP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:205W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.27nF@50V

    连续漏极电流:75A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H032LFVW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:11.9nC@10V

    输入电容:683pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:32mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:12nC@5V

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:180mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFM120ATF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFM120ATF

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:480pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,1.15A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9N10A_L2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.021nF@25V

    连续漏极电流:9A€2.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:152mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8622 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8622

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€31W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@50V

    连续漏极电流:4.8A€16.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:56mΩ@10V,4.8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3692 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3692

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:746pF@25V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 18N10 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):18N10

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1.318nF@50V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":141000,"23+":47500,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W€54W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.54nF@50V

    连续漏极电流:8A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:22.5mΩ@10V,8A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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