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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF @ 25V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：25.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：46W
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：27nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF @ 50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2331
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1266pF @ 50V
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2331
规格型号(MPN)：SI7252ADP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.3A（Ta），28.7A（Tc）
导通电阻：18.6 毫欧 @ 10A，10V
输入电容：1266pF @ 50V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：2 N-通道（双）
阈值电压：4V @ 250µA
功率：3.6W（Ta），33.8W（Tc）
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
栅极电荷：26.5nC @ 10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
