品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:48W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:30nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF @ 25V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:25.5 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2331
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
输入电容:1266pF @ 50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:2 N-通道(双)
阈值电压:4V @ 250µA
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: