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    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€83.3W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3610pF@50V

    连续漏极电流:16.1A€65.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@50V

    连续漏极电流:12A€42.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@50V

    连续漏极电流:12.5A€45.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@50V

    连续漏极电流:12.5A€45.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@50V

    连续漏极电流:12A€42.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€83.3W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3610pF@50V

    连续漏极电流:16.1A€65.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6298 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6298

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1307pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€83.3W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3610pF@50V

    连续漏极电流:16.1A€65.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR106DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€83.3W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3610pF@50V

    连续漏极电流:16.1A€65.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6290 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6290

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@50V

    连续漏极电流:28A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR878BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@50V

    连续漏极电流:12A€42.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR668DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:83nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:23.2A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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