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    漏源电压: 100V
    类型: N沟道
    栅极电荷: 61nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
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    当前匹配商品:50+
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    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3.8V@72µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@50V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3.8V@72µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@50V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3.8V@72µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@50V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD105N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订1250个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订1250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD105N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3.8V@72µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@50V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订800个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订800个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD105N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

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    栅极电荷:61nC@10V

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    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD105N10F7AG 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD105N10F7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订200个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订200个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB100N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC050N10NS5ATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC050N10NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3.8V@72µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@50V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD100N10F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD100N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4369pF@50V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB45NQ10T,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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