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    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ456EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ456EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3342pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0804LSATMA1 起订408个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4081}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0804LSATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0805LSATMA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0805LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.3V@49µA

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@50V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2286pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415AN-1G 起订682个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415AN-1G 起订682个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415AN-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@23A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT105N10K 起订12个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT105N10K

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    输入电容:1.574nF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.5mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:979pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP18P10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP18P10T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:979pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:979pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ402EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ402EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86182 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86182

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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