采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：81385，"MI+"：1224}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS71DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@50V
连续漏极电流：23A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G12P10K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.72nF@50V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：200mΩ@10V，6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L-34
工作温度：-55℃~+175℃
功率：57W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：24nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：31mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
