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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1116，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10110pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10110pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1116，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
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连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB020N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10110pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
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连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
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栅极电荷：195nC@10V
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输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTY100N10G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10110pF@25V
连续漏极电流：123A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4.1V@270µA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
规格型号(MPN)：NTY100N10G
功率：313W
输入电容：10110pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：350nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：123A
包装方式：管件
导通电阻：10mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB017N10N5LFATMA1
功率：313W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：840pF@50V
类型：N沟道
连续漏极电流：180A
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
栅极电荷：195nC@10V
阈值电压：4.1V@270µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：2267，"MI+"：425}
规格型号(MPN)：NTY100N10G
功率：313W
输入电容：10110pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：350nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：123A
包装方式：管件
导通电阻：10mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
