品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":323}
规格型号(MPN):FDBL0240N100
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8755pF@50V
栅极电荷:111nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:210A
导通电阻:2.8mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
功率:3.5W€300W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:39mΩ@18A,10V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
输入电容:1690pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
功率:3W€110W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
功率:130W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160ET100
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB22P10TM
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:50nC@10V
导通电阻:125mΩ@11A,10V
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1500pF@25V
类型:P沟道
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
功率:375W
连续漏极电流:120A
栅极电荷:120nC@10V
输入电容:5100pF@50V
漏源电压:100V
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":15000}
规格型号(MPN):IRFR3710ZTRLPBF
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
导通电阻:18mΩ@33A,10V
类型:N沟道
功率:140W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:2930pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120NTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:9.4A
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:210mΩ@5.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6410ANT4G
功率:188W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@76A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS4010TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.7mΩ@106A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:180A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:215nC@10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:9575pF@50V
功率:375W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
输入电容:200pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
栅极电荷:8.7nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3632
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9mΩ@80A,10V
类型:N沟道
输入电容:6000pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
连续漏极电流:12A€80A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2850}
规格型号(MPN):IRFR3410TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:39mΩ@18A,10V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
输入电容:1690pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
功率:3W€110W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR104AEP-T1-RE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@50V
导通电阻:6.1mΩ@15A,10V
连续漏极电流:21.1A€90.5A
类型:N沟道
功率:6.5W€120W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF1310NSTRLPBF
功率:3.8W€160W
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@22A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1900pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7769L2TR
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:300nC@10V
功率:3.3W€125W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:375A
导通电阻:3.5mΩ@74A,10V
输入电容:11560pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL100N10F7
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5680pF@50V
栅极电荷:80nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@19A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€100W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB3682
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:28nC@10V
功率:95W
类型:N沟道
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRF3710ZSTRLPBF
导通电阻:18mΩ@35A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:160W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
连续漏极电流:59A
漏源电压:100V
输入电容:2900pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB86135
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
输入电容:7295pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€227W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB0260N1007L
输入电容:8545pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:118nC@10V
功率:3.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:2.6mΩ@27A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
功率:130W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:44mΩ@16A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1960pF@25V
栅极电荷:71nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H009SPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@20A,10V
连续漏极电流:14A€86A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2085pF@50V
功率:1.6W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB6412ANT4G
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
输入电容:3500pF@25V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:190mΩ@5.2A,10V
输入电容:310pF@25V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: