品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN040-100MSEX
导通电阻:36.6mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1470pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
包装方式:卷带(TR)
功率:95W
栅极电荷:30.9nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1720pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":81385,"MI+":1224}
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1976pF@25V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:39.2nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
输入电容:1905pF@25V
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
功率:94.9W
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K29-100E,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3491pF@25V
类型:2N沟道(双)
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
输入电容:832pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1976pF@25V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
包装方式:卷带(TR)
功率:95W
栅极电荷:30.9nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1720pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:39.2nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
输入电容:1905pF@25V
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
功率:94.9W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL30N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:35mΩ@4A,10V
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:39.2nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
输入电容:1905pF@25V
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
功率:94.9W
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y38-100E,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:21.6nC@5V
功率:94.9W
输入电容:2541pF@25V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:38mΩ@5A,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":1109,"21+":8191,"22+":93491,"23+":16018}
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
输入电容:832pF@50V
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
阈值电压:2.2V@15µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
功率:71W
输入电容:2100pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N10S3L34ATMA1
功率:57W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:1976pF@25V
阈值电压:2.4V@29µA
导通电阻:31mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD70140EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
阈值电压:2.2V@15µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
阈值电压:2.2V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1109,"21+":8191,"22+":93491,"23+":16018}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ30N10S5L240ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:45.5W
阈值电压:2.2V@15µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:832pF@50V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y38-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.9W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1905pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.9W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1905pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN038-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:94.9W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:39.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1905pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: