采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@10V
输入电容：87pF@25V
连续漏极电流：270mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：270mA
导通电阻：4.2Ω@10V，500mA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：87pF@25V
功率：380mW
栅极电荷：1.8nC@10V
类型：1个P沟道
漏源电压：100V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
