品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:60W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@5V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:6.55nF@25V
连续漏极电流:85A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2398ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:3.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:152pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
输入电容:6.49nF@50V
漏源电压:100V
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,8.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@10V,8.4A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70042E-GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:278W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:6.49nF@50V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,5.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W€3.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:160nC@10V
输入电容:8.05nF@50V
连续漏极电流:23A€225A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W€3.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:8.3nC@10V
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:540mΩ@10V,600mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:2.289nF@40V
连续漏极电流:32A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,10A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: