采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP18N65M2
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：860，"18+"：1850，"19+"：30，"9999"：419，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA65R225C7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R225C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6507END3TL1
功率：78W
阈值电压：4V@200μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：665mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK380P65Y，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@360µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：9.7A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@4.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU18N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R225C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R225C7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@4.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：109，"18+"：13697，"19+"：3171，"20+"：603，"9999"：740，"MI+"：5371}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R230C7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：67W
阈值电压：4V@240µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：996pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@2.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDAATMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@214.55µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：543pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@3.22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
