品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":800,"23+":870}
规格型号(MPN):IMBG65R260M1HXTMA1
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:201pF@400V
阈值电压:5.7V@1.1mA
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
功率:65W
导通电阻:346mΩ@3.6A,18V
栅极电荷:6nC@18V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDAATMA1
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@900µA
漏源电压:650V
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
功率:195.3W
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R070C7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:28A
栅极电荷:64nC@10V
类型:N沟道
功率:169W
漏源电压:650V
导通电阻:70mΩ@8.5A,10V
输入电容:3020pF@100V
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:4V@850µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R660CFDAATMA1
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@214.55µA
输入电容:543pF@100V
漏源电压:650V
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:660mΩ@3.22A,10V
工作温度:-40℃~150℃
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDAATMA1
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:4.5V@900µA
漏源电压:650V
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
功率:195.3W
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{}
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
阈值电压:4V@440µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
输入电容:1670pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:24A
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R099CFD7AATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4.5V@630µA
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
功率:127W
漏源电压:650V
导通电阻:99mΩ@12.5A,10V
连续漏极电流:24A
工作温度:-40℃~150℃
输入电容:2513pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R099CFD7AATMA1
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4.5V@630µA
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
功率:127W
漏源电压:650V
导通电阻:99mΩ@12.5A,10V
连续漏极电流:24A
工作温度:-40℃~150℃
输入电容:2513pF@400V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2414}
规格型号(MPN):IPL65R099C7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
栅极电荷:45nC@10V
功率:128W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2140pF@400V
阈值电压:4V@590µA
导通电阻:99mΩ@5.9A,10V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R099C7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
栅极电荷:45nC@10V
功率:128W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2140pF@400V
阈值电压:4V@590µA
导通电阻:99mΩ@5.9A,10V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190C7ATMA2
输入电容:1150pF@400V
功率:72W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:190mΩ@5.7A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
连续漏极电流:13A
漏源电压:650V
阈值电压:4V@290µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R115CFD7AUMA1
导通电阻:115mΩ@9.7A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:24A
阈值电压:4.5V@480µA
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
功率:144W
输入电容:1942pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:118W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.1A
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:4340pF@400V
栅极电荷:93nC@10V
连续漏极电流:46A
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL65R230C7AUMA1
输入电容:996pF@400V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
阈值电压:4V@240µA
导通电阻:230mΩ@2.4A,10V
功率:67W
类型:N沟道
漏源电压:650V
栅极电荷:20nC@10V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFDAATMA1
功率:277.8W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:118nC@10V
漏源电压:650V
导通电阻:110mΩ@12.7A,10V
阈值电压:4.5V@1.3mA
输入电容:3240pF@100V
工作温度:-40℃~150℃
连续漏极电流:31.2A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}
规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:10.6A
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":7500,"23+":2500}
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:118W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:710pF@100V
类型:N沟道
漏源电压:650V
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:15.1A
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R310CFDAATMA1
输入电容:1110pF@100V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:11.4A
漏源电压:650V
导通电阻:310mΩ@4.4A,10V
功率:104.2W
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
阈值电压:4.5V@440µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDATMA2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1850pF@100V
类型:N沟道
功率:151W
连续漏极电流:17.5A
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@700µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
输入电容:2288pF@400V
阈值电压:5.7V@12.3mA
工作温度:-55℃~175℃
漏源电压:650V
功率:300W
栅极电荷:67nC@18V
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R190CFDAATMA1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@100V
类型:N沟道
功率:151W
连续漏极电流:17.5A
栅极电荷:68nC@10V
导通电阻:190mΩ@7.3A,10V
漏源电压:650V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@700µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R225C7ATMA1
输入电容:996pF@400V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:225mΩ@4.8A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@240µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
漏源电压:650V
栅极电荷:20nC@10V
功率:63W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:1942pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":2414}
规格型号(MPN):IPL65R099C7AUMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
栅极电荷:45nC@10V
功率:128W
类型:N沟道
漏源电压:650V
输入电容:2140pF@400V
阈值电压:4V@590µA
导通电阻:99mΩ@5.9A,10V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R075CFD7AATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:32A
阈值电压:4.5V@820µA
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@16.4A,10V
功率:171W
栅极电荷:68nC@10V
漏源电压:650V
输入电容:3288pF@400V
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R110CFD7ATMA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@9.7A,10V
连续漏极电流:22A
漏源电压:650V
功率:114W
阈值电压:4.5V@480µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
输入电容:1942pF@400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: