采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：178W
工作温度：-50℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：650V
输入电容：1180pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4NB65CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：13.46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.37Ω@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB12N65L
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD7N65
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.56Ω@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
