采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF12N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF10N65
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOTF10N65
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功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
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规格型号(MPN)：AOTF10N65
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功率：50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
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阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1645pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：650V
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类型：N沟道
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栅极电荷：48nC@10V
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输入电容：2150pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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