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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：816pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：827}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R660CFDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：4.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：660mΩ@2.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6511KND3TL1
功率：124W
阈值电压：5V@320μA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@3.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
