品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
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栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
输入电容:4.9nF@100V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
输入电容:4.9nF@100V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
输入电容:4.9nF@100V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
输入电容:4900pF@100V
阈值电压:4.75V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
功率:450W
漏源电压:650V
导通电阻:40mΩ@34A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:68A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
输入电容:4.9nF@100V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6-4
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4900pF@100V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STW70N65DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:125nC@10V
输入电容:4.9nF@100V
连续漏极电流:68A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@34A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
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