采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：301421，"19+"：20000，"MI+"：5000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11NM60T4
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF280N65E1_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.04nF@400V
连续漏极电流：13.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：169，"21+"：750}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：169，"21+"：750}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：301421，"19+"：20000，"MI+"：5000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：301421，"19+"：20000，"MI+"：5000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：301421，"19+"：20000，"MI+"：5000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF190N65S3L1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4.5V@1.4mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
